Hardwareholic – Samsung dikabarkan berhasil meningkatkan hasil produksi (yield) chip DRAM generasi terbaru mereka, yaitu 1c DRAM, hingga 70%, naik signifikan dari sebelumnya di bawah 30% pada tahun lalu. Pencapaian ini menjadi sinyal kuat bahwa produksi massal memori HBM4 akan segera dimulai pada akhir 2025.
Berbeda dari pesaing seperti SK hynix dan Micron yang masih menggunakan teknologi lama 1b DRAM untuk HBM4, Samsung memilih strategi berani dengan langsung mengembangkan DRAM 1c generasi keenam berbasis 10nm. Produksi akan ditingkatkan di fasilitas Hwaseong dan Pyeongtaek, dengan investasi besar yang dimulai sebelum akhir tahun.
Samsung bahkan rela menunda produksi lebih dari satu tahun untuk merancang ulang chip DRAM demi performa lebih baik. DRAM ini akan dipakai di perangkat mobile (LPDDR) dan server, serta menjadi bagian penting dalam lini produksi HBM4 di Pyeongtaek Line 3 dan 4.
Meski demikian, TrendForce mengingatkan bahwa produk ini masih dalam tahap verifikasi awal, sehingga kemajuannya tetap perlu dipantau.
Di sisi lain, SK hynix memilih pendekatan hati-hati dan baru akan meningkatkan produksi DRAM 1c setelah HBM4E dirilis. Namun, pengujian internal mereka mencatat yield yang sangat tinggi, bahkan mencapai 90%.
Dengan permintaan pasar HBM yang terus meningkat, TrendForce memprediksi pengiriman HBM global akan melebihi 30 miliar gigabit pada 2026, dengan HBM4 diperkirakan akan mengungguli HBM3e sebagai standar utama di industri.
Sumber : samsung
